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亨通入选长三角G60科创走廊工业互联网平台及工业互联网标杆工厂名单

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一、科创【导读】     众所周知,超大规模晶体管在下一代电子设备的开发中具有举足轻重的地位。欢迎大家到材料人宣传科技成果并对文献进行深入解读,走廊投稿邮箱[email protected]。因此,工业工业杆工 MoS2有望成为替代Si作为未来晶体管中的沟道材料的理想候选者。

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该方法通过化学气相沉积生长的大面积石墨烯和MoS2薄膜,网平网标在2英寸的晶片上制备侧壁晶体管。研究表明,台及它可以被视为迄今为止最小的栅极长度晶体管。

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√0.34nm栅极长度的侧壁晶体管显示出良好的开关特性,亨通互联互联开/关比高达1.02×105和亚阈值摆幅值低至117mVdec-1。

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